Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 16, страницы 69–77 (Mi pjtf8935)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb

М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (235 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Сформирована и исследована диодная структура с квантовой ямой InGaAs/GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника $p$-типа проводимости. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0.012 в магнитном поле 0.37 T) практически не меняется в диапазоне температур 10–50 K. Циркулярная поляризация обусловлена инжекцией в GaAs спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb.
Поступила в редакцию: 06.03.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 8, Pages 764–767
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012080184
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb”, Письма в ЖТФ, 38:16 (2012), 69–77; Tech. Phys. Lett., 38:8 (2012), 764–767
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorMalZdo12}
\by М.~В.~Дорохин, Е.~И.~Малышева, А.~В.~Здоровейщев, Ю.~А.~Данилов
\paper Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 16
\pages 69--77
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8935}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327960}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 8
\pages 764--767
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012080184}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8935
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i16/p69
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025