Исследование стабильности кремниевых фотодиодов в вакуумном ультрафиолете

Проведено испытание кремниевых фотодиодов на стойкость к вакуумному ультрафиолетовому (ВУФ) излучению на длине волны 121.6 nm. Показано, что исследуемые фотодиоды, на основе $p$-$n$- и $n$-$p$-структур, обнаруживают деградацию чувствительности на уровне десятков процентов при дозах ВУФ-излучения порядка десятков mJ/cm$^2$. Наблюдался эффект обратимой релаксации фототока детекторов на основе $n$–$p$-структур.