Модель для описания особенности на аккумуляционной ветви вольт-фарадных характеристик МОП-конденсаторов с наночастицами кремния в окисле

Предложена модель для описания особенности, формирующейся на НЧ ВФХ МОП-конденсаторов с нановключениями Si в окисле. Возникновение особенности связывается с изменением на частоте измерения ВФХ заряда, накапливающегося в окисле в результате инжекции носителей заряда из контактов и их туннельной миграции сквозь окисел по линейным цепочкам наночастиц в условиях разброса туннельных расстояний в цепочках. Свойства модели проиллюстрированы на простейшем примере МОП-конденсатора с планарным массивом кремниевых нанокристаллов в окисле и монополярной инжекцией дырок из слоя обогащения $p$-полупроводника. Приведена вольт-фарадная кривая, измеренная на конденсаторе с кластерами аморфного кремния в окисле, которая весьма напоминает кривые с двугорбой особенностью, предсказываемые моделью.