Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 18, страницы 53–59 (Mi pjtf8958)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения

И. А. Черных, А. М. Строев, Л. В. Клевалина, М. Ю. Пресняков, Е. А. Головкова, С. А. Тихомиров, М. Л. Занавескин, А. Н. Марченков, А. К. Шиков

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
PDF полного текста (994 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на металлических лентах RABiTS сформированы эпитаксиальные пленки CeO$_2$ и Y$_2$O$_3$. Проведено исследование зависимости кристаллической ориентации пленок от температуры синтеза. Показано, что пленки Y$_2$O$_3$ формируются со 100%-й ориентацией (100), в то время как в пленках CeO$_2$ во всем диапазоне температур роста присутствует паразитная ориентация. Острота текстуры в плоскости подложки составила 8$^\circ$. Исследования поверхности пленок показали, что в пленках CeO$_2$ при увеличении температуры синтеза возникают трещины, поверхность пленок Y$_2$O$_3$ является сплошной во всем диапазоне температур синтеза. Пленки Y$_2$O$_3$ наиболее соответствуют требованиям, предъявляемым к затравочным слоям: являются эпитаксиальными с кристаллической ориентацией (100), наследуют текстуру подложки, поверхность является гладкой, без наличия трещин.
Поступила в редакцию: 04.05.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 9, Pages 849–852
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012090209
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Черных, А. М. Строев, Л. В. Клевалина, М. Ю. Пресняков, Е. А. Головкова, С. А. Тихомиров, М. Л. Занавескин, А. Н. Марченков, А. К. Шиков, “Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения”, Письма в ЖТФ, 38:18 (2012), 53–59; Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 849–852
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheStrKle12}
\by И.~А.~Черных, А.~М.~Строев, Л.~В.~Клевалина, М.~Ю.~Пресняков, Е.~А.~Головкова, С.~А.~Тихомиров, М.~Л.~Занавескин, А.~Н.~Марченков, А.~К.~Шиков
\paper Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 18
\pages 53--59
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8958}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327983}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 9
\pages 849--852
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012090209}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8958
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i18/p53
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025