Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 19, страницы 9–13 (Mi pjtf8964)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs

С. А. Ваганов, Р. П. Сейсян

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (159 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Экспериментально исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения тонких слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Экспериментально определены критическая температура $T_c$ = 135 K, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, соответствующие ей значения критического параметра затухания $\Gamma_c$ = 0.248 meV и продольно-поперечного расщепления $\hbar\omega_{\mathrm{LT}}$ = 0.082 meV. Выделена температурная зависимость истинного диссипативного затухания.
Поступила в редакцию: 04.06.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 10, Pages 873–875
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012100136
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Ваганов, Р. П. Сейсян, “Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 9–13; Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 873–875
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VagSei12}
\by С.~А.~Ваганов, Р.~П.~Сейсян
\paper Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 19
\pages 9--13
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8964}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327989}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 10
\pages 873--875
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012100136}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8964
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i19/p9
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025