Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Исследованы процессы эпитаксиального роста твердых растворов Al$_u$Ga$_{1-u-x}$In$_x$As$_y$Sb$_{1-y}$ и Al$_u$Ca$_{1-u}$As$_y$Sb$_{1-y}$. Получены эпитаксиальные слои с составами 0.02 $<u<$ 0.11, 0.88 $<x<$ 0.93, 0.88 $<y<$ 0.98 на подложках InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при пониженном давлении (76 Torr) и отношении суммы парциальных давлений соединений с элементами пятой группы к таковой для соединений с элементами третьей группы V/III = 3.6–6. При несоответствии параметра решетки 1 $\cdot$ 10$^{-3}$ величины полуширин кривых рентгеновского дифракционного отражения для лучших образцов составляли: для подложек 15 arcsec, для слоев – 66 arcsec.