Особенности изменения электрических параметров кремниевых $p$–$n$-структур, облученных электронами при высоких температурах

Исследовано влияние температурного режима электронного облучения с энергией 4 MeV на изменение основных электрофизических характеристик диффузионных кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структур. Показано, что температура кристалла и интегральная интенсивность при облучении существенно влияют на параметры образования радиационных дефектов и на характер их распределения в различных областях кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структур.