|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 19, страницы 83–89
(Mi pjtf8974)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)
Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире
А. А. Шемухинabcd, Ю. В. Балакшинabcd, В. С. Чернышabcd, А. С. Патракеевabcd, С. А. Голубковabcd, Н. Н. Егоровabcd, А. И. Сидоровabcd, Б. А. Малюковabcd, В. Н. Стаценкоabcd, В. Д. Чумакabcd a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
c Научно-исследовательский институт материаловедения, г. Зеленоград
d АО "Эпиэл" Зеленоград, Москва, Зеленоград
Аннотация:
Показано влияние энергии, дозы и температуры облучения КНС-структур ионами Si$^+$, а также параметров рекристаллизационного отжига на кристалличность кремниевой пленки. Определены условия проведения имплантации и рекристаллизационного отжига.
Поступила в редакцию: 08.06.2012
Образец цитирования:
А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш, А. С. Патракеев, С. А. Голубков, Н. Н. Егоров, А. И. Сидоров, Б. А. Малюков, В. Н. Стаценко, В. Д. Чумак, “Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 83–89; Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 907–909
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8974 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i19/p83
|
|