|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 19, страницы 90–94
(Mi pjtf8975)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния
А. А. Лебедевab, Е. В. Богдановаab, М. В. Григорьеваab, С. П. Лебедевab, В. В. Козловскийab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Аннотация:
Было проведено исследование процессов восстановления проводимости радиационно-компенсированных эпитаксиальных слоев различных политипов карбида кремния $p$-типа проводимости. Показано, что созданная облучением компенсация SiC сохраняется при отжигах $\le$ 1000$^\circ$C. Практически полное восстановление проводимости происходит при $T\ge$ 1200$^\circ$C. Данный характер отжига радиационной компенсации не зависит от политипа карбида кремния и исходного уровня легирования эпитаксиального слоя. Определенные температуры полного отжига значительно превосходят рабочие температуры приборов SiC.
Поступила в редакцию: 03.05.2012
Образец цитирования:
А. А. Лебедев, Е. В. Богданова, М. В. Григорьева, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, “Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 90–94; Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 910–912
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8975 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i19/p90
|
|