|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 21, страницы 13–21
(Mi pjtf8991)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Усиление сигнала при стохастическом резонансе в пленке диоксида ванадия
В. Ш. Алиев, С. Г. Бортников, М. А. Демьяненко Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
В планарной структуре с VO$_2$ проводящим каналом, включенной последовательно с нагрузочным резистором, наблюдалось явление стохастического резонанса с усилением входного сигнала в 1.6 раза. Коэффициент передачи отношения сигнал-шум в схеме достигал 250.
Поступила в редакцию: 18.04.2012
Образец цитирования:
В. Ш. Алиев, С. Г. Бортников, М. А. Демьяненко, “Усиление сигнала при стохастическом резонансе в пленке диоксида ванадия”, Письма в ЖТФ, 38:21 (2012), 13–21; Tech. Phys. Lett., 38:11 (2012), 965–968
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8991 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i21/p13
|
|