Оптические свойства халькогенидных стекол с ионно-синтезированными наночастицами меди

Проведена имплантация ионами Cu$^+$ с энергией 40 keV при дозе облучения 1.5 $\cdot$ 10$^{17}$ ion/cm$^2$ и фиксированной плотности тока в ионном пучке 1 $\mu$A/cm$^2$ подложек халькогенидных стеклообразных полупроводников As$_2$S$_3$ и Ge$_{15.8}$As$_{21}$S$_{63.2}$. Анализ композиционных слоев осуществлялся измерением линейного оптического пропускания, а также регистрацией нелинейно-оптического поглощения методом $Z$-сканирования на длине волны 780 nm при зондирующем лазерном излучении импульсами 150 fs и мощностью от 25 до 100 mW. Для облученных материалов установлено: 1) появление в спектрах линейного пропускания характерной полосы оптического поверхностного плазмонного резонанса, указывающей на формирование в приповерхностной области наночастиц меди; 2) наличие одновременно насыщенного и двухфотонного нелинейных поглощений, последнее доминирует при повышении мощности лазерного излучения.