|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 24, страницы 10–17
(Mi pjtf9029)
|
|
|
|
Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe
И. И. Ижнинa, Г. В. Савицкийa, Е. И. Фицычa, С. А. Дворецкийb, Н. Н. Михайловb, В. С. Варавинb, К. Д. Мынбаевc a Научно-производственное предприятие "Карат", г. Львов
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследована релаксация электрических параметров радиационно-нарушенных слоев, образующихся при ионно-плазменном травлении образцов твердых растворов CdHgTe. Показано, что начальная концентрация донорных центров, формирующихся из-за радиационных нарушений, а также динамика их распада в ходе старения образцов (релаксации) определяются составом твердого раствора. Значение подвижности носителей в слоях после релаксации также зависит от состава твердого раствора.
Поступила в редакцию: 09.08.2012
Образец цитирования:
И. И. Ижнин, Г. В. Савицкий, Е. И. Фицыч, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, К. Д. Мынбаев, “Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 38:24 (2012), 10–17; Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 16–19
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf9029 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i24/p10
|
|