|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 24, страницы 75–85
(Mi pjtf9038)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, В. Н. Полковников, С. Д. Стариков, П. А. Юнин Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Проведено сопоставление результатов послойного анализа многослойных металлических структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии с использованием различных типов регистрируемых вторичных ионов. Впервые показано, что для повышения разрешения по глубине наряду с известными вторичными ионами CsM$^+$ (M = La, Pd, Mo) могут быть использованы два новых варианта: M$^+$ при распылении ионами цезия и OM$^-$ при распылении ионами кислорода. Для многослойных структур Mo/Si использование элементарных вторичных ионов Mo$^+$ и Si$^+$ при распылении ионами Cs и зондировании кластерными ионами Bi$^+_3$ обеспечивает наилучшее разрешение по глубине.
Поступила в редакцию: 29.06.2012
Образец цитирования:
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, В. Н. Полковников, С. Д. Стариков, П. А. Юнин, “Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 38:24 (2012), 75–85; Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 46–50
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf9038 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i24/p75
|
|