Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 24, страницы 86–94 (Mi pjtf9039)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением

Ю. Н. Бузынинab, М. Е. Викторовab, А. В. Водопьяновab, С. В. Голубевab, М. Н. Дроздовab, Ю. Н. Дроздовab, А. Ю. Лукьяновab, Д. А. Мансфельдab, Е. В. Скороходовab, О. И. Хрыкинab, В. И. Шашкинab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (269 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Впервые методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота в электронно-циклотронном резонансном разряде, создаваемом излучением технологического гиротрона, при низких (350$^\circ$C) температурах роста получены пленки InN гексагональной модификации на подложках иттрием стабилизированного циркония, yttria stabilized zirconia (YSZ) ориентаций (111) и (100) и Al$_2$O$_3$ (0001) со скоростью роста 1 $\mu$m $\cdot$ h$^{-1}$. Пленки, выращенные без буферного слоя, имеют структуру текстурированного поликристалла. С использованием двойного буферного слоя InN/GaN на подложках Al$_2$O$_3$ (0001) получены монокристаллические пленки InN. Приводятся данные по морфологии, структуре и фотолюминесцентным свойствам выращенных пленок.
Поступила в редакцию: 06.07.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2013, Volume 39, Issue 1, Pages 51–54
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785013010069
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Н. Бузынин, М. Е. Викторов, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, Е. В. Скороходов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением”, Письма в ЖТФ, 38:24 (2012), 86–94; Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 51–54
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BuzVikVod12}
\by Ю.~Н.~Бузынин, М.~Е.~Викторов, А.~В.~Водопьянов, С.~В.~Голубев, М.~Н.~Дроздов, Ю.~Н.~Дроздов, А.~Ю.~Лукьянов, Д.~А.~Мансфельд, Е.~В.~Скороходов, О.~И.~Хрыкин, В.~И.~Шашкин
\paper Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 24
\pages 86--94
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf9039}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20328066}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2013
\vol 39
\issue 1
\pages 51--54
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785013010069}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf9039
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i24/p86
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025