|
|
Письма в Журнал технической физики, 2011, том 37, выпуск 4, страницы 1–7
(Mi pjtf9080)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин, А. О. Сусляков Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Впервые продемонстрирована возможность изготовления на основе гетероструктуры Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te/Si(310) линейчатого инфракрасного фотоприемника формата 288 $\times$ 4 для длинноволновой (8–12 $\mu$m) области инфракрасного спектра.
Поступила в редакцию: 01.09.2010
Образец цитирования:
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин, А. О. Сусляков, “Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)”, Письма в ЖТФ, 37:4 (2011), 1–7; Tech. Phys. Lett., 37:2 (2011), 148–150
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf9080 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v37/i4/p1
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 17 | | PDF полного текста: | 8 |
|