Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием

Приведены результаты исследования процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, сформированных прямым сращиванием пластин кремния $n$-типа проводимости ориентации (111) с пластинами Si$_{1-x}$Ge$_x$ $p$-типа проводимости той же ориентации, с содержанием германия от 4 до 8 at.%. Показано, что с увеличением концентрации германия N$_{\mathrm{Ge}}$ в $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ слое время обратного восстановления гетеродиодов уменьшается. Наличие участка резкого спада обратного тока на характеристике восстановления может быть объяснено существованием вблизи границы сращивания узкой области с пониженным по отношению к объему временем жизни неосновных носителей заряда вследствие сосредоточения здесь дислокаций несоответствия, генерируемых при сращивании.
Полученные результаты демонстрируют принципиальную возможность создания в системе Si–Si$_{1-x}$Ge$_x$ быстро восстанавливающихся диодов для силовой полупроводниковой техники на основе технологии прямого сращивания.