Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2011, том 37, выпуск 13, страницы 90–97 (Mi pjtf9215)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Стехиометрия, фазовый состав и свойства сверхтвердых наноструктурных пленок Ti–Hf–Si–N, полученные с помощью вакуумно-дугового источника в высокочастотном разряде

А. Д. Погребнякa, А. П. Шпакb, В. М. Бересневc, Г. В. Кирикc, Д. А. Колесниковd, Ф. Ф. Комаровe, П. Конарскийf, Н. А. Махмудовg, М. В. Каверинa, В. В. Грудницкийa

a Сумской государственный университет
b Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины
c Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина
d Белгородский государственный университет
e Белорусский государственный университет, г. Минск
f Теле-радио исследовательский институт, Варшава, Польша
g Самаркандский филиал Ташкентского университета информационных технологий
Аннотация: Получены сверхтвердые наноструктурные покрытия (пленки) на основе Ti–Hf–Si–N с высокими физико-механическими свойствами. С помощью ядерных и атомно-физических методов анализа RBS, SIMS, GT-MS, SEM с EDXS, XRD и наноиндентирования были исследованы элементный, фазовый состав и морфология этих пленок в зависимости от подаваемого на них потенциала смещения на подложку и давления в камере. Обнаружено, что при уменьшении размера нанозерен nc-(Ti,Hf)N от 6.7 до 5 nm и формировании $\alpha$-Si$_3$N$_4$ (аморфной или квазиаморфной фазы как прослойки между нанозернами) возрастает нанотвердость от 42.7 до 48.4–1.6 GPa, однако дальнейшее уменьшение размера кристаллитов (Ti, Hf)N до 4.0 приводит к незначительному уменьшению твердости. Определена стехиометрия состава пленки, которая изменяется от (Ti$_{25}$–Hf$_{12.5}$–Si$_{12.5}$)N$_{50}$ до композиции (Ti$_{28}$–Hf$_{18}$–Si$_9$)N$_{45}$, также изменяется значение параметра решетки твердого раствора (Ti, Hf)N.
Поступила в редакцию: 23.11.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2011, Volume 37, Issue 7, Pages 636–639
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785011070145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Д. Погребняк, А. П. Шпак, В. М. Береснев, Г. В. Кирик, Д. А. Колесников, Ф. Ф. Комаров, П. Конарский, Н. А. Махмудов, М. В. Каверин, В. В. Грудницкий, “Стехиометрия, фазовый состав и свойства сверхтвердых наноструктурных пленок Ti–Hf–Si–N, полученные с помощью вакуумно-дугового источника в высокочастотном разряде”, Письма в ЖТФ, 37:13 (2011), 90–97; Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 636–639
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PogShpBer11}
\by А.~Д.~Погребняк, А.~П.~Шпак, В.~М.~Береснев, Г.~В.~Кирик, Д.~А.~Колесников, Ф.~Ф.~Комаров, П.~Конарский, Н.~А.~Махмудов, М.~В.~Каверин, В.~В.~Грудницкий
\paper Стехиометрия, фазовый состав и свойства сверхтвердых наноструктурных пленок Ti--Hf--Si--N, полученные с помощью вакуумно-дугового источника в высокочастотном разряде
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2011
\vol 37
\issue 13
\pages 90--97
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf9215}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327595}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2011
\vol 37
\issue 7
\pages 636--639
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785011070145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf9215
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v37/i13/p90
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025