Фотоиндуцированное рассеяние света в кристаллах НБС:$Ce$

Обнаружено фотоиндуцированное рассеяние света в кристаллах $(Sr_xBa_{1-x})_{1-y}\times(Nb_2O_6)_y$ состава $x=0,61$, $y=0,4993$, легированных $Ce$. Показано, что это явление обусловлено голографическим усилением света, рассеянного дефектами кристалла. Рассмотрены стационарные и динамические характеристики самоусиления рассеянного света в кристаллах. В предположении, что запись голограмм имеет диффузионную природу, построена теоретическая модель процесса. Теоретические результаты срав­ниваются с экспериментом.