Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 1, страницы 23–27 (Mi qe10654)  

Каскадный эффект Ханле на переходе 53D3–53P2 кадмия

К. К. Боярский, Е. Н. Котликов

Научно-исследовательский физический институт Ленинградского государственного университета им. А. А. Жданова
Аннотация: Наблюдался сигнал пересечения уровней в нулевом магнитном поле в спонтанном излучении с рабочих уровней импульсного Cd I лазера на линии 361 нм (переход 53D3–53P2). Сигнал имел форму, близкую к разности двух лоренцевых контуров, один из которых обусловлен распадом верхнего, а другой – распадом нижнего рабочего уровня лазера. Определены времена жизни и сечения деполяризующих соударений с неоном этих уровней.
Поступила в редакцию: 18.06.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 1, Pages 10–12
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n01ABEH010654
Тип публикации: Статья
УДК: 535.338.33
PACS: 32.80.Bx, 32.70.Cs, 32.70.Jz


Образец цитирования: К. К. Боярский, Е. Н. Котликов, “Каскадный эффект Ханле на переходе 53D3–53P2 кадмия”, Квантовая электроника, 2:1 (1975), 23–27 [Sov J Quantum Electron, 5:1 (1975), 10–12]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10654
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i1/p23
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025