Треки люминесценции в полупроводнике при двухфотонном возбуждении ультракороткими импульсами света

Исследованы треки люминесценции в кристалле CdS_0,7Se_0,3 при двухфотонном возбуждении ультракороткими импульсами света. Особенности треков (зависимость интенсивности люминесценции от расстояния между точкой наблюдения и входной гранью образца) в образце, охлажденном до температуры жидкого азота, объяснены с помощью явления самоиндуцированной прозрачности. Приведено решение задачи о распространении ультракороткого светового импульса в резонансно поглощающей среде в рамках двухуровневой модели с учетом конечного времени релаксации поляризации, позволившее качественно объяснить результаты эксперимента.