Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1558–1561 (Mi qe11574)  

Краткие сообщения

Модуляция излучения инжекционных гетеролазеров с помощью диода Ганна

А. С. Логгинов, В. Е. Соловьев

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Осуществлена модуляция излучения инжекционных лазеров с двухсторонней гетероструктурой с помощью диода Ганна на частоте около 1 ГГц. Проведен анализ работы этой схемы. Показано, что один диод Ганна может модулировать несколько десятков инжекционных лазеров. Излучаемая мощность и КПД увеличиваются с увеличением числа лазеров, причем мощность растет быстрее, чем количество лазеров.
Поступила в редакцию: 08.01.1975
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 7, Pages 842–843
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n07ABEH011574
Тип публикации: Статья
УДК: 621.376.223
PACS: 42.60.L, 42.80.K


Образец цитирования: А. С. Логгинов, В. Е. Соловьев, “Модуляция излучения инжекционных гетеролазеров с помощью диода Ганна”, Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1558–1561 [Sov J Quantum Electron, 5:7 (1975), 842–843]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11574
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i7/p1558
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025