Коэффициент преломления сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений AIIIBV и соответствующих твердых растворов и полупроводниковые волноводные лазерные структуры

Рассмотрены теоретические проблемы точного вычисления коэффициентов преломления полупроводниковых материалов, возникающие в связи с использованием сверхрешеток в качестве активных слоев ДГС-лазеров и с применением примесного разупорядочения, т. е. селективной перестройки сверхрешеток в соответствующие твердые растворы. Такую перестройку можно реализовать с помощью диффузии или ионной имплантации. Приводится обзор расчетов коэффициентов преломления на основе знания зонной структуры и специально рассматривается роль беспорядка. Объясняется аномалия, обнаруженная в системе (InAl)As. Показана важность эффектов локального поля и экситонных переходов. Разумным подходом, по-видимому, является прямое вычисление разности между коэффициентами преломления сверхрешеток и соответствующих твердых растворов.