Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 11, страницы 1003–1008 (Mi qe15134)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры

Спонтанное и вынужденное излучение эксимерных молекул XeCl* при накачке газовых смесей Хе/ССl4 и Ar – Хе – ССl4 с низким содержанием ССl4 быстрыми электронами и осколками деления урана

А. И. Миськевич, Цзиньбо Го, Ю. А. Дюжов

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований спонтанного и вынужденного излучений эксимерных молекул ХеСl * при возбуждении газовых смесей Хе – ССl4 и Ar – Хе – ССl4 с низким содержанием ССl4 заряженными частицами высокой энергии – импульсным пучком быстрых электронов и продуктами нейтронной ядерной реакции 235U(n, f). Энергия электронов равнялась 150 кэВ, длительность и амплитуда импульса тока накачки – 5 нс и 5 А. Энергия осколков деления не превышала 100 МэВ, длительность нейтронного импульса накачки – 200 мкс, удельная мощность энерговклада в газ – около 300 Вт/см3. При накачке электронным пучком в кювете длиной 4 см в резонаторе с пропусканием выходного зеркала 2.7 % реализуется режим генерации лазерного излучения на В → Х-переходе молекулы ХеСl * (λ = 308 нм) с коэффициентом усиления α = 0.0085 см-1 и эффективностью флуоресценции на В – Х-переходе η ≈ 10 %, а при накачке осколками деления в кювете длиной 250 см в резонаторе, образованном глухим зеркалом и кварцевым окном, – режим усиленного спонтанного излучения (УСИ) с выходной мощностью излучения 40 – 50 кВт/ср и длительностью импульса УСИ по основанию ~200 мкс.
Ключевые слова: активная среда, эксимер, люминесценция, XeCl *, ядерная накачка.
Поступила в редакцию: 29.01.2013
Исправленный вариант: 31.05.2013
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 11, Pages 1003–1008
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n11ABEH015134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 41.75.Fr


Образец цитирования: А. И. Миськевич, Цзиньбо Го, Ю. А. Дюжов, “Спонтанное и вынужденное излучение эксимерных молекул XeCl* при накачке газовых смесей Хе/ССl4 и Ar – Хе – ССl4 с низким содержанием ССl4 быстрыми электронами и осколками деления урана”, Квантовая электроника, 43:11 (2013), 1003–1008 [Quantum Electron., 43:11 (2013), 1003–1008]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe15134
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i11/p1003
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025