|
|
Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 6, страницы 509–511
(Mi qe15154)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Лазеры
Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм
Н. С. Дегтяреваa, С. А. Кондаковa, Г. Т. Микаелянa, П. В. Горлачукb, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, Ю. Л. Рябоштанb, И. В. Яроцкаяb a ОАО "НПП Инжект", г. Саратов
b ООО "Сигм Плюс", г. Москва
Аннотация:
Разработана эффективная конструкция полупроводниковой гетероструктуры, позволившая изготовить непрерывные линейки лазерных диодов спектрального диапазона 750 – 790 нм. Определены оптимальные технологические режимы получения гетероструктур GaAsP/AlGaInP/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что использование квантовых ям с точно заданной величиной рассогласования позволяет снизить пороговую плотность тока и увеличить внешнюю дифференциальную эффективность. Приведены результаты исследований характеристик линеек лазерных диодов, изготовленных из указанных гетероструктур.
Ключевые слова:
линейка лазерных диодов, МОС-гидридная эпитаксия, напряженная квантовая яма.
Поступила в редакцию: 12.02.2013 Исправленный вариант: 27.03.2013
Образец цитирования:
Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая, “Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм”, Квантовая электроника, 43:6 (2013), 509–511 [Quantum Electron., 43:6 (2013), 509–511]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe15154 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i6/p509
|
|