|
|
Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 12, страницы 1091–1093
(Mi qe15331)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Письма
Наноструктурирование монокристаллического карбида кремния пикосекундным ультрафиолетовым лазерным излучением
Е. В. Барминаab, А. А. Серковab, Г. А. Шафеевab a Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b ООО "Энергомаштехника", г. Москва
Аннотация:
Методом лазерной абляции в жидкости получены наноструктуры на поверхности монокристаллического карбида кремния 4H-SiC. В качестве источника излучения использовался Nd :YAG-лазер (длина волны 355 нм, длительность импульса 10 пс). Изучены морфология поверхности и распределение наноструктур по размерам в зависимости от плотности энергии падающего лазерного излучения. Обсуждается применимость исследованного процесса для увеличения светимости светоизлучающих диодов на подложке из карбида кремния.
Ключевые слова:
карбид кремния, светоизлучающие диоды, GaN, лазеры, абляция, наноструктуры.
Поступила в редакцию: 24.10.2013
Образец цитирования:
Е. В. Бармина, А. А. Серков, Г. А. Шафеев, “Наноструктурирование монокристаллического карбида кремния пикосекундным ультрафиолетовым лазерным излучением”, Квантовая электроника, 43:12 (2013), 1091–1093 [Quantum Electron., 43:12 (2013), 1091–1093]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe15331 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i12/p1091
|
|