Роль сильного усиления среды в возникновении сверхизлучения и наблюдении когерентных эффектов в полупроводниковых лазерах

Построена теоретическая модель генерации импульсов сверхизлучения в полупроводниковых лазерных структурах. Показано, что сильное усиление среды позволяет преодолеть фазовую релаксацию и приводит к возникновению сверхизлучающего состояния (макроскопического диполя) в ансамбле электрон-дырочных пар с временами, много большими характерных времен релаксации поляризации T₂. Критерием возникновения сверхизлучения является условие αc_mT₂ > 1 (α — коэффициент усиления, c_m — скорость света в среде). Теоретическая модель как качественно, так и количественно описывает результаты экспериментального исследования сверхизлучения в полупроводниковых лазерах, полученные автором ранее.