|
|
Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 1, страницы 60–64
(Mi qe1659)
|
|
|
|
Нелинейно-оптические явления
Влияние угла Брэгга на оптимальный энергообмен при двухволновом взаимодействии в пьезокристалле $Bi_{12}SiO_{20}$
В. В. Шепелевич, А. А. Фирсов Мозырский государственный педагогический университет им. И. П. Шамякина, Белоруссия
Аннотация:
Решена задача максимизации относительной интенсивности сигнальной световой волны при двухволновом взаимодействии с учетом самодифракции в пьезокристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$ одновременно по четырем параметрам: поляризационному ($\psi$) и ориентационному ($\theta$) углам, толщине кристалла $d$ и углу Брэгга $\varphi$. Установлено, что для кристалла Bi$_{12}$SiO$_{20}$ на длине волны 632.8 нм при типичной концентрации акцепторов $10^{22}$ м$^{-3}$ существуют два набора оптимальных параметров: $\varphi \approx 11^{\circ}$, $\theta \approx 39.1^{\circ}$, $\psi \approx 98.85^{\circ}$, $d \approx 7.11$ мм (для первого максимума) и $\varphi \approx 11^{\circ}$, $\theta \approx 320.9^{\circ}$, $\psi \approx 54.15^{\circ}$, $d \approx 7.11$ мм (для второго максимума). Найдена зависимость этих оптимальных параметров от концентрации акцепторов в пределах $10^{21}$ – $4\cdot 10^{22}$ м$^{-3}$. Предложенная модель двухволнового взаимодействия в частном случае фиксированного угла Брэгга и приближения заданной видности улучшает согласие теоретических результатов с известными экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 26.07.1999
Образец цитирования:
В. В. Шепелевич, А. А. Фирсов, “Влияние угла Брэгга на оптимальный энергообмен при двухволновом взаимодействии в пьезокристалле $Bi_{12}SiO_{20}$”, Квантовая электроника, 30:1 (2000), 60–64 [Quantum Electron., 30:1 (2000), 60–64]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1659 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i1/p60
|
|