Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 1, страницы 60–64 (Mi qe1659)  

Нелинейно-оптические явления

Влияние угла Брэгга на оптимальный энергообмен при двухволновом взаимодействии в пьезокристалле $Bi_{12}SiO_{20}$

В. В. Шепелевич, А. А. Фирсов

Мозырский государственный педагогический университет им. И. П. Шамякина, Белоруссия
Аннотация: Решена задача максимизации относительной интенсивности сигнальной световой волны при двухволновом взаимодействии с учетом самодифракции в пьезокристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$ одновременно по четырем параметрам: поляризационному ($\psi$) и ориентационному ($\theta$) углам, толщине кристалла $d$ и углу Брэгга $\varphi$. Установлено, что для кристалла Bi$_{12}$SiO$_{20}$ на длине волны 632.8 нм при типичной концентрации акцепторов $10^{22}$ м$^{-3}$ существуют два набора оптимальных параметров: $\varphi \approx 11^{\circ}$, $\theta \approx 39.1^{\circ}$, $\psi \approx 98.85^{\circ}$, $d \approx 7.11$ мм (для первого максимума) и $\varphi \approx 11^{\circ}$, $\theta \approx 320.9^{\circ}$, $\psi \approx 54.15^{\circ}$, $d \approx 7.11$ мм (для второго максимума). Найдена зависимость этих оптимальных параметров от концентрации акцепторов в пределах $10^{21}$$4\cdot 10^{22}$ м$^{-3}$. Предложенная модель двухволнового взаимодействия в частном случае фиксированного угла Брэгга и приближения заданной видности улучшает согласие теоретических результатов с известными экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 26.07.1999
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 1, Pages 60–64
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n01ABEH001659
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.70.Ln, 42.25.Fx, 42.40.Eq
Образец цитирования: В. В. Шепелевич, А. А. Фирсов, “Влияние угла Брэгга на оптимальный энергообмен при двухволновом взаимодействии в пьезокристалле $Bi_{12}SiO_{20}$”, Квантовая электроника, 30:1 (2000), 60–64 [Quantum Electron., 30:1 (2000), 60–64]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SheFir00}
\by В.~В.~Шепелевич, А.~А.~Фирсов
\paper Влияние угла Брэгга на оптимальный энергообмен при двухволновом взаимодействии в пьезокристалле $Bi_{12}SiO_{20}$
\jour Квантовая электроника
\yr 2000
\vol 30
\issue 1
\pages 60--64
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe1659}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 2000
\vol 30
\issue 1
\pages 60--64
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE2000v030n01ABEH001659}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000086123000016}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1659
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i1/p60
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025