Анализ характеристик импульса при модуляции усиления в низкоразмерных полупроводниковых лазерах с использованием модели ABC

Проведено численное моделирование динамики модуляции усиления в низкоразмерных полупроводниковых лазерах с применением модели двумерных скоростных уравнений. Использовалась модель ABC, в которой скорость рекомбинации носителей описывается функцией плотности носителей, зависящей от коэффициента рекомбинации Шокли–Рида–Холла А, коэффициента спонтанной эмиссии В и коэффициента оже-рекомбинации С. Проанализировано влияние параметров А, В и С на импульсные характеристики лазера при высокой плотности импульсного возбуждения. Обнаружено, что в то время как изменение параметра A почти не оказывает заметного влияния, влияние изменения параметров B и C совершенно различно: величина B существенно влияет на время задержки импульса, полученного при модуляции усиления, а величина С – на его интенсивность.