Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе

Выявлен эффект, оказываемый встроенным электрическим полем, которое возникает в упруго напряжённых множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs, на эффективность генерации терагерцевых импульсов при облучении фемтосекундными оптическими лазерными импульсами поверхности данных гетероструктур, а также фотопроводящих антенн на их основе. Встроенное поле возникает в результате пьезоэффекта в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами {InGaAs/GaAs}×10, выращенных на подложках GaAs с кристаллографическими ориентациями (110) и (111)А. Сравнивается терагерцевое излучение, полученное при одинаковых условиях возбуждения от плёнок с одинаковым составом, но выращенных на подложках с различными ориентациями. Наиболее интенсивное терагерцевое излучение получено от поверхности гетероструктуры {In_0.2Ga_0.8 As/GaAs}×10 на подложке GaAs (110). Среди фотопроводящих антенн наибольшей эффективностью терагерцевой генерации обладают антенны, изготовленные на гетероструктурах {In_0.2Ga_0.8As/GaAs}×10 с ориентациями (110) и (100). При этом влияние ориентации подложки, ярко проявляющееся при генерации терагерцевого излучения непосредственно поверхностью плёнок, гораздо слабее выражено для фотопроводящих антенн на этих же плёнках.