Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2024, том 54, номер 7, страницы 430–435 (Mi qe18451)  

Подборка докладов, представленных на Международном семинаре по волоконным лазерам (19-25 августа 2024 г., Новосибирск) (редакторы-cоставители С.Л.Семёнов и С.А.Бабин)

Создание антиотражающих микроструктур на поверхности нелинейных кристаллов BaGa2Se7 фемтосекундным лазерным излучением

В. Е. Федяйab, А. Тарасоваac, А. Елисеевac, Л. Исаенкоac, П. Криницынac, С. А. Бабинab, А. Кучмижакde, А. В. Достоваловab

a Новосибирский государственный университет, Россия, 630090 Новосибирск
b Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Россия, 630090 Новосибирск
c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, Россия, 630090 Новосибирск
d Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Россия, 690041 Владивосток
e Дальневосточный федеральный университет, Россия, 690041 Владивосток
Список литературы:
Аннотация: Рассмотрена возможность создания антиотражающих микроструктур (АОМ) на поверхности полупроводниковых нелинейных кристаллов BaGa2Se7 с помощью ИК лазерных импульсов. Исследовано формирование АОМ методом поточечной записи фемтосекундным лазерным излучением, а также методом, основанным на эффекте формирования лазерно-индуцированных периодических поверхностных структур (ЛИППС) фемтосекундным/пикосекундным лазерным излучением. Максимальное увеличение пропускания нелинейного кристалла BaGa2Se7 (при обработке с одной стороны по сравнению с исходной необработанной поверхностью) составило 17% и более 9% для метода поточечной записи и метода на основе ЛИППС соответственно.
Ключевые слова: кристалл BaGa2Se7, антиотражающие микроструктуры, фемтосекундная лазерная абляция, ИК диапазон, лазерно-индуцированные периодические поверхностные структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-22-00190
А.Тарасова, А.Елисеев, Л.Исаенко, П.Криницын благодарят РНФ (грант 23-22-00190) за финансовую поддержку выполнения работ.
Поступила в редакцию: 23.10.2024
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: В. Е. Федяй, А. Тарасова, А. Елисеев, Л. Исаенко, П. Криницын, С. А. Бабин, А. Кучмижак, А. В. Достовалов, “Создание антиотражающих микроструктур на поверхности нелинейных кристаллов BaGa2Se7 фемтосекундным лазерным излучением”, Квантовая электроника, 54:7 (2024), 430–435
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18451
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v54/i7/p430
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025