Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2024, том 54, номер 11, страницы 706–709 (Mi qe18497)  

Подборка докладов, представленных на VIII Международной конференции по сверхбыстрым оптическим явлениям UltrafastLight-2024

Зональность и секториальность распределения примесей в HPHT-алмазе с NV-центрами

И. В. Клепиковabc, Е. А. Васильевd, В. Ф. Лебедевe, Е. И. Липатовf, В. Г. Винсg, А. В. Колядинc

a Санкт-Петербургский государственный университет, Россия, 199034 С.-Петербург
b МИРЭА — Российский технологический университет, Россия, 119454 Москва
c ООО Научно-производственный комплекс "Алмаз", Россия, 197706 Сестрорецк
d Санкт-Петербургский государственный горный университет, Россия, 199106 С.-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения, Россия, 190000 С.-Петербург
f Томский государственный университет, Россия, 634050 Томск
g ООО "Велман", Россия, 630058 Новосибирск
Список литературы:
Аннотация: Приведен детальный анализ спектроскопических особенностей, зонального и секториального внутреннего строения многосекторного образца НРНТ-алмаза, выращенного в системе Fe – Ni – C. Образец был облучен электронами с энергией 3 МэВ, дозой 1.5 × 1018 электрон./см-2 и отожжен в вакууме при температуре 1200°С для получения высокой концентрации азотно-вакансионных центров. Установлены различия в концентрациях и формах вхождения азота в различных секторах роста и образованных в результате обработки азотно-вакансионных дефектов. Сопоставление спектров фотолюминесценции (ФЛ) при возбуждении на 488 и 785 нм, распределения азотных дефектов с результатами визуализации ФЛ при возбуждении излучением с длиной волны 220, 254, 365 нм показало, что фотолюминесцентная томография является очень информативным инструментом анализа неоднородности алмазных изделий. Примесь Ni локализована неоднородно, в зонах сектора {111} с высокой концентрацией А-дефектов зарегистрировано множество дополнительных линий ФЛ в ближнем ИК диапазоне. Эта особенность дополняет дефектно-примесный состав алмазного элемента с высокой концентрацией NV-центров и может негативно влиять на характеристики перспективного лазерного материала.
Ключевые слова: фотолюминесценция, НРНТ-алмаз, секториальность, зональность, NV-центры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FSFZ-2022-0006
FSRF-2023-0003
Российский научный фонд 25-62-00016
Результаты работы получены в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ, тема № FSFZ-2022-0006, а также при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (соглашение № FSRF-2023-0003). Анализ влияния состава металла-катализатора на примесный состав лазерного элемента проведен при поддержке Российского научного фонда (грант № 25-62-00016).
Англоязычная версия:
Bull. Lebedev Physics Institute, 2025, Volume 52, Issue suppl. 3, Pages S313–S318
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335625602080
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: И. В. Клепиков, Е. А. Васильев, В. Ф. Лебедев, Е. И. Липатов, В. Г. Винс, А. В. Колядин, “Зональность и секториальность распределения примесей в HPHT-алмазе с NV-центрами”, Квантовая электроника, 54:11 (2024), 706–709 [Bull. Lebedev Physics Institute, 52:suppl. 3 (2025), S313–S318]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18497
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v54/i11/p706
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025