Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2025, том 55, номер 4, страницы 259–264 (Mi qe18561)  

К 45-летию Самарского филиала Физического института им. П.Н. Лебедева РАН

Моделирование лазерного охлаждения молекулярного иона CaO+

С. О. Тучинa, А. А. Першинa, И. О. Антоновab

a Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН, Россия, 443011 Самара
b Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева, Россия, 443086 Самара
Список литературы:
Аннотация: Разработана кинетическая модель оптического охлаждения вращательных уровней основного состояния молекулярного иона CaO+(X2Π, υ = 0), помещенного в ионную ловушку и находящегося под действием лазерного и теплового излучений. Модель включает возбуждение электронного уровня (B2Π, υ = 8) перестраиваемым широкополосным лазерным излучением с опцией отсечки частоты и перекрывающего спектральную полосу перехода (B2Π, υ″ = 8) ← (X2Π, υ = 0) со значениями вращательных квантовых чисел основного состояния с J > Jm; взаимодействие с тепловым излучением окружения; спонтанную радиационную релаксацию возбужденных состояний. Частота отсечки лазера совпадала с частотой перехода из состояния X2Π, υ = 0, J = Jm. В моделировании учтено по 50 вращательных уровней для трех электронных состояний X2Π, A2Σ+ и B2Π, 42 колебательных уровня для X2Π, A2Σ+, а также 9 колебательных уровней для B2Π. Расселение уровней нижнего электронно-возбужденного состояния осуществлялось индуцированием излучением второго лазера на переходе (A2Σ+, υ′ = 1) → (B2Π, υ″ = 8). Скорости радиационных переходов между состояниями определялись с использованием расчетных значений коэффициентов Эйнштейна и плотностей потоков лазерного и теплового излучений. Показано, что населенности вращательных уровней под действием лазерного излучения опустошаются за десятки миллисекунд, одновременно со значительным накоплением населенности "темных" уровней с J < Jm. При спектральном срезе 33256 см-1 (Jm = 0.5) населенность состояния X2Π (υ = 0, J = 3.5) выше тепловой (T = 300 K) в восемь раз.
Ключевые слова: молекулярные ионы, лазерное охлаждение, электронно-возбужденные состояния, кинетическая модель, CaO+.
Поступила в редакцию: 16.05.2025
Исправленный вариант: 11.07.2025
Принята в печать: 19.07.2025
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: С. О. Тучин, А. А. Першин, И. О. Антонов, “Моделирование лазерного охлаждения молекулярного иона CaO+”, Квантовая электроника, 55:4 (2025), 259–264
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18561
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v55/i4/p259
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025