Гетеробарьерные фотодиодные МПМ-структуры с субпикосекундным временным разрешением

В качестве сверхбыстродействующих фотодетекторов видимого диапазона длин волн предложено использовать гетеробарьерные диодные структуры металл–полупроводник–металл (МПМ) встречно-штыревого типа. Режим вертикального дрейфа фотогенерированных носителей тока в диодных МПМ-структурах позволяет наиболее просто реализовать субмикронные размеры активной области приемника и значительно увеличить его быстродействие без существенного снижения эффективности ввода светового излучения. Методом внешнего электрооптического стробирования измерен субпикосекундный электрический отклик детектора (длительность на полувысоте 0.6 пс), встроенного в копланарную линию передач СВЧ энергии. При напряжении смещения 1 В и энергии импульса оптического возбуждения 10 пДж изменение напряжения на фотодиоде составило 40% от напряжения смещения, что делает такие диодные структуры достаточно эффективными и чрезвычайно быстродействующими фотодетекторами оптического излучения.