Анализ электронного ограничения на полупроводниковой периодической структуре

Теоретически проанализировано использование периодической квантоворазмерной гетероструктуры в качестве ограничивающего слоя полупроводниковых лазеров на основе Al_xGa_1–xAs/GaAs и Ga_xIn_1–xAs_yP_1–y/InP. Сделаны расчеты зависимости коэффициента отражения электронных волн от энергии электронов и зависимости плотности тока утечки электронов, инжектированных в активную область, от их концентрации в подобных структурах. Определены параметры сверхрешеток такого типа, при которых высота эффективного потенциального барьера возрастает более чем на 100 %, а плотность тока утечки инжектированных в активную область электронов понижается более чем на три порядка. Сделан вывод о возможности использования подобных гетероструктур в качестве ограничивающего слоя полупроводниковых лазеров, работающих при высоких температурах или на коротких длинах волн.