|
|
Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 12, страницы 1149–1151
(Mi qe3272)
|
|
|
|
Лазеры
Гольмиевые лазеры на кристаллах ИАГ и ИСГГ в импульсно-периодическом режиме генерации
Б. М. Антипенкоa, А. М. Забазновb, А. А. Никитичевa, В. А. Письменныйa, А. А. Ставровc, Ю. С. Типенкоc, В. Б. Цветковb, И. А. Щербаковb a Всероссийский научный центр ГОИ
им. С. И. Вавилова, г. Санкт-Петербург
b Институт общей физики АН РФ, г. Москва
c Центральное конструкторское бюро «Пеленг» Белорусского оптико-механического объединения, Минск
Аннотация:
Экспериментально исследованы генерационные характеристики лазеров на кристаллах ИАГ и ИСГГ,
активированных Cr–Tm–Но, в импульсно-периодическом режиме. Показано, что для достижения высокой частоты следования импульсов при относительно низкой энергии накачки предпочтителен лазер
на кристалле ИАГ. Указаны некоторые пути расширения диапазона рабочих частот гольмиевых лазеров
на основе скандиевых гранатов.
Поступила в редакцию: 09.04.1993
Образец цитирования:
Б. М. Антипенко, А. М. Забазнов, А. А. Никитичев, В. А. Письменный, А. А. Ставров, Ю. С. Типенко, В. Б. Цветков, И. А. Щербаков, “Гольмиевые лазеры на кристаллах ИАГ и ИСГГ в импульсно-периодическом режиме генерации”, Квантовая электроника, 20:12 (1993), 1149–1151 [Quantum Electron., 23:12 (1993), 997–998]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3272 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i12/p1149
|
|