"Атомное" тормозное излучение многозарядных ионов – источник накачки коротковолнового оже-лазера

Предлагается новый источник накачки коротковолнового лазера на оже-переходах Xe II, основанный на механизме «атомного» тормозного излучения многозарядных ионов на Xe I. Предварительные расчеты показывают, что в этом случае возможны создание инверсной населенности уровней Хе III и получение за счет больших длин области накачки (до 1 м) усиленного спонтанного излучения на длине волны λ = 108,9 нм. Необходимые для экспериментальной реализации предложенной схемы накачки параметры ионного пучка в настоящее время достижимы на нескольких установках.