|
|
Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 6, страницы 555–558
(Mi qe405)
|
|
|
|
Активные среды
Интенсивность насыщения и спектр выходного излучения XeCl-лазера
В. Б. Кауль, С. Э. Кунц, С. В. Мельченко Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
Аннотация:
Показано, что на работу XeCl-лазера существенное влияние оказывает динамика нижнего Х-состояния рабочих молекул. В связи с этим интенсивность насыщения лазерного перехода может быть разной в различных экспериментальных условиях. Спектр выходного излучения при работе с неселективным резонатором также может значительно трансформироваться; при этом увеличивается относительная интенсивность излучения на "слабых" переходах молекул XeCl.
Поступила в редакцию: 14.10.1994
Образец цитирования:
В. Б. Кауль, С. Э. Кунц, С. В. Мельченко, “Интенсивность насыщения и спектр выходного излучения XeCl-лазера”, Квантовая электроника, 22:6 (1995), 555–558 [Quantum Electron., 25:6 (1995), 529–532]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe405 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i6/p555
|
|