|
|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 2, страницы 370–376
(Mi qe4099)
|
|
|
|
Образование свободных атомов фтора при лазерно-столкновительном инициировании реакции CH3F+F2
В. И. Игошинab, С. Ю. Пичугинab a Куйбышевский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР
b Куйбышевский государственный университет
Аннотация:
Развита и численно исследована кинетическая модель реакции CH3F с F2, инициируемой лазерным излучением в смеси сложного компонентного состава, характерного для химического DF–СO2-лазера. Показана возможность образования значительной концентрации свободных атомов F (~1016 см–3) за достаточно короткое время (~1 мкс) при умеренных интенсивностях лазерного импульса (~1МВт/см2). Полученные результаты указывают на перспективность использования этой реакции для создания химических лазерных усилителей, инициируемых ИК излучением.
Поступила в редакцию: 21.01.1982
Образец цитирования:
В. И. Игошин, С. Ю. Пичугин, “Образование свободных атомов фтора при лазерно-столкновительном инициировании реакции CH3F+F2”, Квантовая электроника, 10:2 (1983), 370–376 [Sov J Quantum Electron, 13:2 (1983), 205–208]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4099 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i2/p370
|
|