|
|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 5, страницы 1067–1069
(Mi qe4267)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Механизм влияния γ-излучения на энергетические характеристики кристаллов YAG:Nd3+
H. А. Малов, А. И. Рябов, С. П. Насельский, Г. Н. Торопкин, Е. Швом, И. Ф. Усольцев
Аннотация:
Исследован механизм снижения энергетических характеристик кристаллов YAG:Nd3+ при воздействии γ-излучения. Показано, что основной причиной снижения выходной энергии генерации при γ-облучении является увеличение короткоживущих потерь на длине волны 1,06 мкм, возникающих в кристалле под действием излучения лампы накачки.
Поступила в редакцию: 13.07.1982
Образец цитирования:
H. А. Малов, А. И. Рябов, С. П. Насельский, Г. Н. Торопкин, Е. Швом, И. Ф. Усольцев, “Механизм влияния γ-излучения на энергетические характеристики кристаллов YAG:Nd3+”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1067–1069 [Sov J Quantum Electron, 13:5 (1983), 683–684]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4267 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i5/p1067
|
|