Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 2, страницы 257–261 (Mi qe4685)  

Накопление инверсии в активной среде йодного лазера при наличии неоднородных магнитных полей

Б. Д. Бобров, В. М. Киселев, А. С. Гренишин
Аннотация: Рассматривается влияние неоднородных продольных магнитных полей на сечение усиления активной среды йодного лазера. Показано, что запасаемая в активной среде лазера плотность энергии при наличии неоднородных продольных магнитных полей может составлять несколько джоулей на 1 см2 сечения активного тела. Расчеты выполнены с учетом сверхтонкой структуры.
Поступила в редакцию: 17.03.1983
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 2, Pages 179–182
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n02ABEH004685
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.60.Da, 42.60.Gd


Образец цитирования: Б. Д. Бобров, В. М. Киселев, А. С. Гренишин, “Накопление инверсии в активной среде йодного лазера при наличии неоднородных магнитных полей”, Квантовая электроника, 11:2 (1984), 257–261 [Sov J Quantum Electron, 14:2 (1984), 179–182]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4685
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i2/p257
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025