|
|
Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 3, страницы 268–287
(Mi qe5590)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Обзор
Пикосекундная оптоэлектроника
П. П. Васильев Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР,
Москва
Аннотация:
Дан обзор общих принципов и современных достижений пикосекундной оптоэлектроники. Рассмотрены физические принципы, лежащие в ее основе – пикосекундная фотопроводимость полупроводников, электрооптический эффект в кристаллах и распространение электрических УКИ в СВЧ линиях передачи. Описаны элементная база пикосекундной оптоэлектроники и характеристики материалов, влияющие на быстродействие и чувствительность конкретных устройств. Значительное внимание уделено методам генерации оптических УКИ инжекционными лазерами. Приведены результаты экспериментов по изучению пикосекундных фотопроводников как излучателей электромагнитной энергии (диполей Герца) и исследованию электрооптического эффекта Вавилова–Черепкова. Описаны некоторые применения устройств пикосекундной оптоэлектроники в физических исследованиях, метрологии и сверхскоростных системах обработки информации.
Поступила в редакцию: 22.02.1988 Исправленный вариант: 12.10.1989
Образец цитирования:
П. П. Васильев, “Пикосекундная оптоэлектроника”, Квантовая электроника, 17:3 (1990), 268–287 [Sov J Quantum Electron, 20:3 (1990), 209–227]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5590 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i3/p268
|
|