Разрушение монокристаллов CdS собственным лазерным излучением

С помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) исследованы дефектная структура и морфология разрушений кристаллов CdS собственным вынужденным излучением при возбуждении импульсным азотным лазером (λ = 337 нм). Использовались пластинчатые кристаллы CdS толщиной 0,2–0,5 мкм, что позволяло провести исследования с помощью ПЭМ до и после лазерного воздействия. Установлено, что разрушение обусловлено плавлением и испарением из-за развития тепловой неустойчивости в результате следующих процессов: поглощения излучения на преципитатах, дислокациях, а также на неравновесных свободных носителях; самофокусировки; фокусировки упругооптическими линзами, образованными полями напряжений преципитатов.