К теории параметрического и комбинационного взаимодействия в поле некогерентной накачки

Развита приближенная теория параметрического усиления и ВКР в заданном поле накачки, некогерентной по поперечным координатам и во времени. Найдены выражения для инкрементов среднего поля, определены условия применимости полученных выражений. Показано, в частности, что если длина продольной корреляции излучения накачки с сигнальной волной мала по сравнению с длиной корреляции этого излучения с холостой волной, используемое приближение достаточно точно описывает переход от случая δ-коррелированной накачки (некогерентное взаимодействие) к случаю, когда коэффициент усиления на длине когерентности накачки с холостой волной больше единицы (квазикогерентное взаимодействие). При этом инкремент интенсивности близок к удвоенному инкременту среднего поля сигнальной волны. Кроме того, при указанном выше соотношении длин корреляции на ограниченном, но достаточном для существенного усиления расстоянии от входа в кристалл сравнительно просто вычисляются корреляционные функции. Аналогичные выводы справедливы для ВКР в поле накачки с шириной спектра, превышающей ширину линии спонтанного рассеяния.