|
|
Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 6, страницы 1302–1304
(Mi qe7176)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Использование селективности растворения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования пассивных элементов интегральной оптики
Ю. А. Быковский, А. В. Миронос, В. Л. Смирнов, В. И. Солдатов Московский инженерно-физический институт
Аннотация:
Исследовано влияние формы профиля стехиометрии пленок системы As–S на динамику их растворения в щелочном травителе. Показано, что поверхностные изменения стехиометрии в экспонированных пленках системы As–S влияют на скорость растворения пленок ХСП. Рассмотрены динамика растворения ХСП пленок с заданными профилями стехиометрии и способы формирования решетчатых структур с высокой дифракционной эффективностью.
Поступила в редакцию: 01.08.1984 Исправленный вариант: 03.12.1984
Образец цитирования:
Ю. А. Быковский, А. В. Миронос, В. Л. Смирнов, В. И. Солдатов, “Использование селективности растворения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования пассивных элементов интегральной оптики”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1302–1304 [Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 863–864]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7176 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i6/p1302
|
|