|
|
Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 11, страницы 1424–1425
(Mi qe7499)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Влияние электронной температуры на характеристики Не–Cd-лазера, возбуждаемого импульсным пучком электронов
С. В. Макаров, Ю. Н. Новоселов Институт электрофизики Уральского отделения АН СССР,
Свердловск
Аннотация:
Численно исследованы временные и энергетические характеристики излучения He–Cd-лазера высокого давления, возбуждаемого микросекундным пучком электронов, на длинах волн 441,6 и 537,8 нм. Обнаружено, что эффективность генерации лазера на линии 537,8 нм зависит от длительности накачки, повышаясь при ее сокращении. Предложен способ увеличения мощности лазера при длительных импульсах накачки, заключающийся в повышении температуры электронов
He–Cd-плазмы с помощью внешнего электрического поля. Определена оптимальная напряженность поля. Показана возможность осуществления модуляции мощности генерируемого излучения с помощью импульсного подключения поля.
Поступила в редакцию: 19.01.1990
Образец цитирования:
С. В. Макаров, Ю. Н. Новоселов, “Влияние электронной температуры на характеристики Не–Cd-лазера, возбуждаемого импульсным пучком электронов”, Квантовая электроника, 17:11 (1990), 1424–1425 [Sov J Quantum Electron, 20:11 (1990), 1332–1333]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7499 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i11/p1424
|
|