Нелинейное взаимодействие УКИ света с тонкой полупроводниковой пленкой в экситонной области спектра

Изучено влияние эффекта насыщения дипольного момента экситонного перехода на нестационарное пропускание УКИ лазерного излучения тонкой полупроводниковой пленкой в экситонной области спектра. Предсказано пороговое изменение пропускания от полного отражения УКИ пленкой к полному ее просветлению с ростом уровня возбуждения. Получен аналог теоремы площадей Мак–Кола и Хана для УКИ, взаимодействующих с пленкой. При большом параметре нелинейности имеет место неоднозначная зависимость площади прошедшего через пленку импульса от площади падающего.