Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 7, страницы 1388–1390 (Mi qe8241)  
Активные среды

О возможности создания фотодиссоциативного лазера на переходе тонкой структуры 2P1/2 → 2P3/2 атомов фтора

С. А. Сотниченко

Филиал Института энергетических проблем химической физики АН СССР, Черноголовка, Моск. обл.
PDF полного текста (424 kB)
Аннотация: На основе расчета сечения стимулированного излучения перехода тонкой структуры атома фтора и ряда полученных ранее экспериментальных данных рассмотрена возможность создания фотодиссоциативного лазера, излучающего на переходе с λ = 24,75 мкм. Проведена оценка порогового коэффициента усиления и определен ряд условий, выполнение которых необходимо для достижения режима генерации.
Поступила в редакцию: 26.10.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 7, Pages 896–897
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n07ABEH008241
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Ks, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh


Образец цитирования: С. А. Сотниченко, “О возможности создания фотодиссоциативного лазера на переходе тонкой структуры 2P1/2 → 2P3/2 атомов фтора”, Квантовая электроника, 16:7 (1989), 1388–1390 [Sov J Quantum Electron, 19:7 (1989), 896–897]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe8241
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i7/p1388
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025