Н. А. Иванов, Е. Д. Исянова, Ф. В. Карпушко, Б. Д. Лобанов, Н. Т. Максимова, А. М. Проворов, Н. А. Саскевич, Г. В. Синицын, В. М. Хулугуров, А. Г. Шнейдер, А. С. Ясюкевич, “Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+-центрами окраски”, Квантовая электроника, 13:11 (1986), 2328–2330 [Sov J Quantum Electron, 16:11 (1986), 1536

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 11, страницы 2328–2330 (Mi qe8353)

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Краткие сообщения

Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F₂⁺-центрами окраски

Н. А. Иванов, Е. Д. Исянова, Ф. В. Карпушко, Б. Д. Лобанов, Н. Т. Максимова, А. М. Проворов, Н. А. Саскевич, Г. В. Синицын, В. М. Хулугуров, А. Г. Шнейдер, А. С. Ясюкевич

Институт физики АН БССР, Минск

PDF полного текста (617 kB) Список цитирования (3)

Аннотация: Впервые излучением импульсных ламп возбуждена генерация в лазере на кристалле LiF со стабильными F₂⁺-центрами окраски. Для двух типов кристаллов, различающихся технологией выращивания и методом окрашивания, пороги генерации составили ~80 Дж, максимальные энергии импульса генерации ~10 мДж, длительности импульса 12мкс; диапазоны перестройки длины волны были 0,89–1,03 и 0,90–0,99мкм. После тысячи импульсов эффективность генерации практически не изменилась.

Поступила в редакцию: 17.02.1986

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 11, Pages 1536–1538
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n11ABEH008353

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Образец цитирования: Н. А. Иванов, Е. Д. Исянова, Ф. В. Карпушко, Б. Д. Лобанов, Н. Т. Максимова, А. М. Проворов, Н. А. Саскевич, Г. В. Синицын, В. М. Хулугуров, А. Г. Шнейдер, А. С. Ясюкевич, “Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F₂⁺-центрами окраски”, Квантовая электроника, 13:11 (1986), 2328–2330 [Sov J Quantum Electron, 16:11 (1986), 1536–1538]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe8353

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i11/p2328

Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы