|
|
Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 10, страницы 2001–2011
(Mi qe9139)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Твердотельные и полупроводниковые лазеры
Условие оптимальной накачки лазерных диодов с широким контактом
В. Накваски Институт физики Лодзинского технического университета,
Польша
Аннотация:
Сформулирована простая теоретическая модель лазерного диода с двойной гетероструктурой и широким контактом, которая позволила рассмотреть поведение лазера при накачках вблизи порога и далеко за ним. Найдено точное выражение, определяющее условие оптимальной накачки лазеров рассматриваемого типа. Полученная с помощью этого условия максимальная выходная мощность излучения стандартного лазерного диода при комнатной внешней температуре примерно на 40% выше мощности, получаемой при ранее используемом условии.
Поступила в редакцию: 29.12.1988
Образец цитирования:
В. Накваски, “Условие оптимальной накачки лазерных диодов с широким контактом”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2001–2011 [Sov J Quantum Electron, 19:10 (1989), 1288–1294]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9139 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i10/p2001
|
|