Структура рентгеноэлектронных спектров соединений легких актинидов

Обобщены результаты исследований методом рентгеноэлектронной спектроскопии (РЭС) строения внешних и внутренних электронных оболочек соединений легких актинидов (Th, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf) в диапазоне энергий связи (E_b) электронов 0 – 1250 эВ. Обсуждены закономерности формирования тонкой структуры в спектрах РЭС этих соединений, проанализированы механизмы ее возникновения и рассмотрена зависимость параметров тонкой структуры от степени окисления актинидов, строения их ближайшего окружения, магнетизма, природы химической связи, а также вторичных электронных процессов, сопровождающих фотоэмиссию электронов. Экспериментально доказано образование внешних (E_b = 0 – 15 эВ) и внутренних валентных (E_b = 15 – 50 эВ) молекулярных орбиталей, в частности из полностью заселенных An6p- и Lns-орбиталей соседних атомов актинидов (An) и лигандов (L) в рассматриваемых соединениях. Использование характеристик тонкой структуры наряду с величинами энергий связи электронов и интенсивности линий позволяет существенно расширить применение метода РЭС при исследовании строения вещества.
Библиография — 276 ссылок.